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Herstellerteilenummer | MBR10H100CT-E3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR10H100CT-E3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR10H100CT-E3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10H100CT-E3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR10H100CT-E3/45-FT |
40CPQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L15CW
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L40CW
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L45CW
Vishay Semiconductor Diodes Division
63CPQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
72CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA12PA120C
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16PA120C
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16PA60C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
Intel
EP2AGX45DF29C4
Intel
EP2AGZ225FF35I3N
Intel