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Herstellerteilenummer | MBR10H100CT C0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR10H100CT C0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR10H100CT C0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10H100CT C0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR10H100CT C0G-FT |
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel