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Herstellerteilenummer | MBR200100CTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR200100CTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR200100CTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 100A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5mA @ 20V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Twin Tower |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR200100CTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR200100CTR-FT |
CDSV6-4448CD-G
Comchip Technology
CDSV6-4448SD-G
Comchip Technology
CDSV6-4448TI-G
Comchip Technology
CDSV6-99SD-G
Comchip Technology
F1842CCD600
Sensata-Crydom
STPS2045CH
STMicroelectronics
STPS2545CGY-TR
STMicroelectronics
DD104N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD104N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD104N12KKHPSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel