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Herstellerteilenummer | MBR2H200SFT3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR2H200SFT3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR2H200SFT3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123F |
Supplier Device Package | SOD-123FL |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2H200SFT3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR2H200SFT3G-FT |
NSR0170P2T5G
ON Semiconductor
NSVR0230P2T5G
ON Semiconductor
NSVR0230M2T5G
ON Semiconductor
NSR0130M2T5G
ON Semiconductor
NSR0140M2T5G
ON Semiconductor
NSR0230M2T5G
ON Semiconductor
RB520S30T1G
ON Semiconductor
RB521S30T5G
ON Semiconductor
NSVR0520V2T1G
ON Semiconductor
NSRLL30XV2T1G
ON Semiconductor
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel