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Herstellerteilenummer | MBR2X030A060 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR2X030A060 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR2X030A060 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 30A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 60V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X030A060 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR2X030A060-FT |
MBRF20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20080
GeneSiC Semiconductor
MBRF20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF300100
GeneSiC Semiconductor
MBRF300100R
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MBRF300150
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MBRF300150R
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MBRF30020
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MBRF300200
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MBRF300200R
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EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel