Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / MBR2X080A100
Herstellerteilenummer | MBR2X080A100 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MBR2X080A100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR2X080A100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 160A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 80A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X080A100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR2X080A100-FT |
MBRF20045
GeneSiC Semiconductor
MBRF20045R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20060
GeneSiC Semiconductor
MBRF20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20080
GeneSiC Semiconductor
MBRF20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF300100
GeneSiC Semiconductor
MBRF300100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF300150
GeneSiC Semiconductor
MBRF300150R
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel