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Herstellerteilenummer | MBR300100CTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR300100CTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR300100CTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 150A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 8mA @ 20V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Twin Tower |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR300100CTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR300100CTR-FT |
DD171N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD171N16KHPSA1
Infineon Technologies
DD171N18KHPSA1
Infineon Technologies
DD231N22KHPSA1
Infineon Technologies
DD231N26KHPSA1
Infineon Technologies
DD260N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD260N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD260N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD260N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD260N16KHPSA1
Infineon Technologies
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel