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Herstellerteilenummer | MBR30H35CT-E3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR30H35CT-E3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR30H35CT-E3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 15A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 80µA @ 35V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30H35CT-E3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR30H35CT-E3/45-FT |
FEPF16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF6CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel