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Herstellerteilenummer | MBR50035CTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBR50035CTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBR50035CTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 500A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 250A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 20V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Twin Tower |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR50035CTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBR50035CTR-FT |
MBR2X050A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A120
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MBR2X050A180
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MBR2X060A060
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MBR2X060A150
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XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
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A40MX04-2PLG68
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A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel