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GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR
- MFG-Teilenummer
- MBR600200CTR
- verfügbare Anzahl
- 80470 Stücke
- Referenzpreis
- USD 102.35328
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- GeneSiC Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Dioden - Gleichrichter - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- MBR600200CTR.pdf
MBR600200CTR Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | MBR600200CTR |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-MBR600200CTR |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| MBR600200CTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 300A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 3mA @ 200V |
| Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / fall | Twin Tower |
| Supplier Device Package | Twin Tower |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MBR600200CTR Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | MBR600200CTR-FT |
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