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Herstellerteilenummer | MBRB10100CT-M3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRB10100CT-M3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBRB10100CT-M3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10100CT-M3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRB10100CT-M3/4W-FT |
V30DM60CL-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel