Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MBRB10H90CTHE3/81
Herstellerteilenummer | MBRB10H90CTHE3/81 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRB10H90CTHE3/81 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB10H90CTHE3/81 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 3.5µA @ 90V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H90CTHE3/81 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRB10H90CTHE3/81-FT |
FESB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel