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Herstellerteilenummer | MBRB20100CT-E3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRB20100CT-E3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
MBRB20100CT-E3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20100CT-E3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRB20100CT-E3/4W-FT |
V40DM120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D45CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel