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Herstellerteilenummer | MBRB20100CT-E3/8W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRB20100CT-E3/8W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
MBRB20100CT-E3/8W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20100CT-E3/8W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRB20100CT-E3/8W-FT |
V30DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM60CLHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel