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Herstellerteilenummer | MBRB20100CT-M3/8W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRB20100CT-M3/8W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBRB20100CT-M3/8W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20100CT-M3/8W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRB20100CT-M3/8W-FT |
V40DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D45CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel