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Herstellerteilenummer | MBRB30H60CTHE3_A/P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRB30H60CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB30H60CTHE3_A/P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 15A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 60µA @ 60V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB30H60CTHE3_A/P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRB30H60CTHE3_A/P-FT |
MBR30H100CT-G1
Diodes Incorporated
SBRT40M80CTB
Diodes Incorporated
CD412099C
Powerex Inc.
CD412299C
Powerex Inc.
SCPA4F
Semtech Corporation
DDB6U104N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U144N16RBOSA1
Infineon Technologies
JANTXV1N4148UBCC
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UBD
Microsemi Corporation
VS-VSUD400CW20
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel