Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MBRB8H100T4G
Herstellerteilenummer | MBRB8H100T4G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MBRB8H100T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SWITCHMODE™ |
MBRB8H100T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 600pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB8H100T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRB8H100T4G-FT |
1N4936G
ON Semiconductor
1N4935G
ON Semiconductor
1N5818G
ON Semiconductor
MUR160G
ON Semiconductor
1N5817RLG
ON Semiconductor
MUR140RLG
ON Semiconductor
MUR210RLG
ON Semiconductor
MUR120G
ON Semiconductor
1N4006G
ON Semiconductor
MUR130G
ON Semiconductor
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel