Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MBRD10100TR
Herstellerteilenummer | MBRD10100TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRD10100TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBRD10100TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 250pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD10100TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRD10100TR-FT |
VS-8EWF12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-5EWX06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04SD60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel