Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MBRD3200TR
Herstellerteilenummer | MBRD3200TR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MBRD3200TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBRD3200TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 100pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD3200TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRD3200TR-FT |
VS-30WQ06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel