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Herstellerteilenummer | MBRD640CTT4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRD640CTT4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SWITCHMODE™ |
MBRD640CTT4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 40V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD640CTT4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRD640CTT4G-FT |
DCC010-TB-E
ON Semiconductor
DCD010-TB-E
ON Semiconductor
M1MA152WAT1
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MMBD2837LT1
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MMBD2838LT1
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MMBD6100LT3
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MMBD7000LT3
ON Semiconductor
SB05W05C-TB-E
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DCA010-TB-E
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LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel