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Herstellerteilenummer | MBRD660CT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRD660CT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBRD660CT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 60V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | D-Pak |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD660CT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRD660CT-FT |
VS-12CWQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ04FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel