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Herstellerteilenummer | MBRT400100R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MBRT400100R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MBRT400100R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky, Reverse Polarity |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 400A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 200A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 20V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Three Tower |
Supplier Device Package | Three Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT400100R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MBRT400100R-FT |
GC2X20MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GC2X8MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GB10SLT12-247D
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MBRT20040
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MURT40040R
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MSRT150100(A)
GeneSiC Semiconductor
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel