Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / MC1413DR2
Herstellerteilenummer | MC1413DR2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MC1413DR2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MC1413DR2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 7 NPN Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Leistung max | - |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 16-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC1413DR2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MC1413DR2-FT |
ULN2003V12T16-13
Diodes Incorporated
SN75468N
Texas Instruments
ULN2004AN
Texas Instruments
ULN2002AN
Texas Instruments
ULN2004AIN
Texas Instruments
ULN2003BN
Texas Instruments
SN75469N
Texas Instruments
ULN2003AN
Texas Instruments
SN75468NG4
Texas Instruments
ULN2002ANE4
Texas Instruments
XC3030A-7PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400
Microsemi Corporation
A40MX02-1PLG68
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EP2C5AF256A7N
Intel
M1A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel