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Herstellerteilenummer | MCR100-3 A1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MCR100-3 A1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MCR100-3 A1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 100V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.7V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 5mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-3 A1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MCR100-3 A1G-FT |
16TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2M70SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C6F256C6N
Intel
EP2AGX125DF25I5
Intel
5SGXMA5N2F45C3N
Intel
XC5VFX200T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200RC240-2X
Intel
EP20K100CQ240C9
Intel