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Herstellerteilenummer | MCR100-4 A1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MCR100-4 A1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MCR100-4 A1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.7V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 5mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-4 A1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MCR100-4 A1G-FT |
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQ100
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP20K600EBC652-3
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel