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Herstellerteilenummer | MCR100-6 A1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MCR100-6 A1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MCR100-6 A1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 400V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.7V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 5mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-6 A1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MCR100-6 A1G-FT |
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQ208A
Microsemi Corporation
EP1S25B672C6
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EP20K160EFC484-2
Intel
5SGSMD4E2H29C3N
Intel
5SGXMA9K3H40C2LN
Intel
XC5VSX50T-1FF1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160M
Microsemi Corporation