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Herstellerteilenummer | MCR100-6 A1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MCR100-6 A1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MCR100-6 A1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 400V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.7V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 5mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-6 A1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MCR100-6 A1G-FT |
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-5FG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU484C8G
Intel
EP1S10F484I6
Intel
5SGXEA7N2F40C2L
Intel
5SGSMD3E1H29C1N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
10AX115U3F45I2SGE2
Intel
EP20K400ERI240-3
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel