Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / MCR100-8 A1G
Herstellerteilenummer | MCR100-8 A1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MCR100-8 A1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MCR100-8 A1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.7V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 5mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-8 A1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MCR100-8 A1G-FT |
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
A3P250-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
EP1C6F256I7
Intel
5SGSED8K2F40C2LN
Intel
LFXP2-5E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31I5N
Intel