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Herstellerteilenummer | MGV03123R3M-10 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MGV03123R3M-10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MGV |
MGV03123R3M-10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Molded |
Material - Kern | - |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2A |
Strom - Sättigung | 3.1A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 210 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.138" L x 0.126" W (3.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV03123R3M-10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MGV03123R3M-10-FT |
AIRD-02-1R0M
Abracon LLC
AIRD-02-1R2M
Abracon LLC
AIRD-02-1R5M
Abracon LLC
AIRD-02-1R8K
Abracon LLC
AIRD-02-1R8M
Abracon LLC
AIRD-02-220K
Abracon LLC
AIRD-02-271K
Abracon LLC
AIRD-02-2R2M
Abracon LLC
AIRD-02-2R7M
Abracon LLC
AIRD-02-331K
Abracon LLC
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel