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Herstellerteilenummer | MGV1207R10M-10 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MGV1207R10M-10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MGV |
MGV1207R10M-10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | - |
Induktivität | 100nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 60A |
Strom - Sättigung | 120A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 0.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.256" (6.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV1207R10M-10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MGV1207R10M-10-FT |
MGV12054R7M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV12071R0M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV0605100M-10
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MGV06055R6M-10
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MGV06056R8M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV1205R82M-10
Laird-Signal Integrity Products
XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel