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MHE1003NR3 Image

NXP USA Inc. MHE1003NR3

MFG-Teilenummer
MHE1003NR3
verfügbare Anzahl
30360 Stücke
Referenzpreis
USD 104.156224
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
- RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - HF
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
MHE1003NR3.pdf
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MHE1003NR3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer MHE1003NR3
Zukünftige Teilenummer FT-MHE1003NR3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
MHE1003NR3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp LDMOS
Frequenz 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gewinnen 14.1dB
Spannungs - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 50mA
Leistung 53dBm
Spannung - bewertet 65V
Paket / fall OM-780-2
Supplier Device Package OM-780-2
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MHE1003NR3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer MHE1003NR3-FT

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