Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / MIEB101H1200EH
Herstellerteilenummer | MIEB101H1200EH |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MIEB101H1200EH |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MIEB101H1200EH Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Full Bridge Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 183A |
Leistung max | 630W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 300µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | E3 |
Supplier Device Package | E3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIEB101H1200EH Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MIEB101H1200EH-FT |
IRG5K200HF06B
Infineon Technologies
IRG5K200HF12B
Infineon Technologies
IRG5K300HF06B
Infineon Technologies
IRG5K30FF06Z
Infineon Technologies
IRG5K35HF12A
Infineon Technologies
IRG5K400HF06B
Infineon Technologies
IRG5K50FF06E
Infineon Technologies
IRG5K50HF06A
Infineon Technologies
IRG5K50HF12A
Infineon Technologies
IRG5K75FF06E
Infineon Technologies
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel