Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / MII200-12A4
Herstellerteilenummer | MII200-12A4 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MII200-12A4 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MII200-12A4 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Aufbau | Half Bridge |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 270A |
Leistung max | 1130W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 150A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Y3-DCB |
Supplier Device Package | Y3-DCB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII200-12A4 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MII200-12A4-FT |
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation
APTGT300SK60G
Microsemi Corporation
APTGT300TL65G
Microsemi Corporation
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel