Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / MII200-12A4
Herstellerteilenummer | MII200-12A4 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MII200-12A4 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MII200-12A4 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Aufbau | Half Bridge |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 270A |
Leistung max | 1130W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 150A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Y3-DCB |
Supplier Device Package | Y3-DCB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII200-12A4 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MII200-12A4-FT |
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation
APTGT300SK60G
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APTGT300TL65G
Microsemi Corporation
APTGT30A170T1G
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APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
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APTGT30X60T3G
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APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T3G
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