Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MIMD10A-7-F
Herstellerteilenummer | MIMD10A-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MIMD10A-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MIMD10A-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA, 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 Ohms, 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz, 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIMD10A-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MIMD10A-7-F-FT |
BCR141SE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR141SH6327XTSA1
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BCR148SE6327BTSA1
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BCR183SE6327BTSA1
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BCR183SE6433BTMA1
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A3PE3000L-FG484I
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A54SX32A-1FG256
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5AGXMA3D4F27C5N
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