Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJ11012G
Herstellerteilenummer | MJ11012G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJ11012G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJ11012G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 30A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 20A, 5V |
Leistung max | 200W |
Frequenz - Übergang | 4MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-204AA, TO-3 |
Supplier Device Package | TO-204 (TO-3) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJ11012G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJ11012G-FT |
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