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MJ11012G Image

ON Semiconductor MJ11012G

MFG-Teilenummer
MJ11012G
verfügbare Anzahl
78540 Stücke
Referenzpreis
USD 5.824
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
MJ11012G.pdf
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MJ11012G Spezifikationen

Herstellerteilenummer MJ11012G
Zukünftige Teilenummer FT-MJ11012G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
MJ11012G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp NPN - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.) 30A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 60V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 4V @ 300mA, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce 1000 @ 20A, 5V
Leistung max 200W
Frequenz - Übergang 4MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / fall TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package TO-204 (TO-3)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MJ11012G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer MJ11012G-FT

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