Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJ11030G
Herstellerteilenummer | MJ11030G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJ11030G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJ11030G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 90V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3.5V @ 500mA, 50A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 25A, 5V |
Leistung max | 300W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-204AE |
Supplier Device Package | TO-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJ11030G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJ11030G-FT |
BD436TG
ON Semiconductor
BD437T
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BD438G
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BD439
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EPF10K10ATC144-1N
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XC3S400-5FTG256C
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Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
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10M04SFE144C8G
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5AGXMA3D4F27C5N
Intel
A42MX16-PL84A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel