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ON Semiconductor MJD112-1G

MFG-Teilenummer
MJD112-1G
verfügbare Anzahl
73770 Stücke
Referenzpreis
USD 0.544
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
MJD112-1G.pdf
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MJD112-1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer MJD112-1G
Zukünftige Teilenummer FT-MJD112-1G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
MJD112-1G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp NPN - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.) 2A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 100V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Leistung max 1.75W
Frequenz - Übergang 25MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package I-PAK
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MJD112-1G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer MJD112-1G-FT

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