Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD112RLG
Herstellerteilenummer | MJD112RLG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD112RLG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD112RLG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112RLG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD112RLG-FT |
BC847CWT3G
ON Semiconductor
SBC847CWT3G
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BC847CWT1G
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SMSD1819A-RT1G
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MMBTA56WT1G
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MMBT2907AWT1G
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MMBT2222AWT3G
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M2GL050T-FCSG325
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A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
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EP4SE360H29C3N
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10AX032E3F27E2LG
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10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
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LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
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