Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD112T4
Herstellerteilenummer | MJD112T4 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD112T4 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD112T4 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 20W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112T4 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD112T4-FT |
BD910
STMicroelectronics
BDV64-S
Bourns Inc.
BDV64A-S
Bourns Inc.
BDV64B-S
Bourns Inc.
BDV64C-S
Bourns Inc.
BDV65-S
Bourns Inc.
BDV65A-S
Bourns Inc.
BDV65B-S
Bourns Inc.
BDV65C-S
Bourns Inc.
BDW83-S
Bourns Inc.
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFE2-50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel