Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD112TF
Herstellerteilenummer | MJD112TF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD112TF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD112TF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | D-Pak |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112TF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD112TF-FT |
BCX6825E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX6910E6327HTSA1
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BCX6916E6327HTSA1
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BCX6925E6327HTSA1
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BFN 19 E6327
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BFN18E6327HTSA1
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KSC2328AYTA
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KSA1013YBU
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A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
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10M25DAF484I6G
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5SGXEA3K2F40C3
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XC6VLX240T-1FFG784I
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A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
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EP1S40F780I6
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EPF10K50RI240-4
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