Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD112TF
Herstellerteilenummer | MJD112TF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MJD112TF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD112TF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | D-Pak |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112TF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD112TF-FT |
BCX6825E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX6910E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX6916E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX6925E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFN 19 E6327
Infineon Technologies
BFN18E6327HTSA1
Infineon Technologies
KSC2328AYTA
ON Semiconductor
KSA1013YBU
ON Semiconductor
KSA916YTA
ON Semiconductor
KSA1013OBU
ON Semiconductor
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel