Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD117-1G
Herstellerteilenummer | MJD117-1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD117-1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD117-1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Supplier Device Package | I-PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD117-1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD117-1G-FT |
NJVMJD210T4G
ON Semiconductor
NJVMJD2955T4G
ON Semiconductor
NJVMJD31T4G
ON Semiconductor
NJVMJD42CRLG
ON Semiconductor
NJVMJD6039T4G
ON Semiconductor
NJVMJD31CRLG
ON Semiconductor
NJD1718T4G
ON Semiconductor
BUD42D
ON Semiconductor
BUD42D-001
ON Semiconductor
BUD42D-1G
ON Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel