Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD122T4G
Herstellerteilenummer | MJD122T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD122T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD122T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 4MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD122T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD122T4G-FT |
BC847BWT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT1G
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MSB92AS1WT1G
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NSVMSD42WT1G
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LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
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M1A3P1000-2FGG484
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A3P1000-FG256
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A3P600-2PQG208I
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LFE5UM-85F-7BG554I
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EP20K600EFC672-3
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5SGSED8K3F40C2LN
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EP3SE80F1152I3
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XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel