Herstellerteilenummer | MJD127G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD127G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD127G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 4MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD127G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD127G-FT |
SMMBT3904TT1G
ON Semiconductor
S2SC4617G
ON Semiconductor
MMBT3906TT1G
ON Semiconductor
MMBT3904TT1G
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NSVBC857BTT1G
ON Semiconductor
MMBT2222ATT3G
ON Semiconductor
BC847BTT1G
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BC857BTT1G
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MMBT2222ATT1G
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NSVMMBT2222ATT1G
ON Semiconductor
XC3S2000-5FGG900C
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XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
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M2GL025-1FCSG325
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XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
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A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
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EP20K400BC652-1
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EP2S180F1020I4
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