Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD128T4G
Herstellerteilenummer | MJD128T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD128T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD128T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 120V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 4MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD128T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD128T4G-FT |
BC847CWT1
ON Semiconductor
BC848BWT1
ON Semiconductor
BC857BWT1
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EPF10K10ATC144-3N
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XC2S150-6FG456C
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LFE2-12SE-5QN208C
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M7A3P1000-1FGG256
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ICE65L08F-TCB132I
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LFE3-95EA-6LFN672I
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EP4CE30F29C6N
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EP20K1000CF33C8N
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