Herstellerteilenummer | MJD200G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD200G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD200G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Leistung max | 1.4W |
Frequenz - Übergang | 65MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD200G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD200G-FT |
SMSD1819A-RT1G
ON Semiconductor
MMBTA56WT1G
ON Semiconductor
MMBT2907AWT1G
ON Semiconductor
SBC856BWT1G
ON Semiconductor
MMBT3906WT1G
ON Semiconductor
MSD42WT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT3G
ON Semiconductor
MMBT4403WT1G
ON Semiconductor
SMMBTA06WT3G
ON Semiconductor
BC857BWT1G
ON Semiconductor
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel