Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD210T4G
Herstellerteilenummer | MJD210T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD210T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD210T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Leistung max | 1.4W |
Frequenz - Übergang | 65MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD210T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD210T4G-FT |
NSVMMBT5401WT1G
ON Semiconductor
NSVMSB1218A-RT1G
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SMMBT2222AWT1G
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2SA1576ART1
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2SC4211-6-TL-E
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BC846AWT1
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M2GL090TS-1FG484I
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A3P125-2VQ100I
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EP4CE15F23C6
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EPF10K50SFC484-1X
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5SGXMA9K2H40C2LN
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XC5VLX110T-3FFG1738C
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ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
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EPF8636ALC84-4
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EP1S10F780I6N
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