Herstellerteilenummer | MJD243G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD243G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD243G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 4A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
Leistung max | 1.4W |
Frequenz - Übergang | 40MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD243G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD243G-FT |
SMMBTA06WT3G
ON Semiconductor
BC857BWT1G
ON Semiconductor
MMBTA06WT1G
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BC848BWT1G
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BC856BWT1G
ON Semiconductor
MMBT4401WT1G
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BC847AWT1G
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BC857CWT1G
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SBC846BWT1G
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15C01M-TL-E
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AGL030V2-QNG68
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M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
XC3090L-8PC84C
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XC4010E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC6VHX255T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
5AGXFB7H6F35C6N
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EP2AGX95EF35I3N
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EP3C55F780C8N
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EP20K200EQC240-3N
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