Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD2955-1G
Herstellerteilenummer | MJD2955-1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD2955-1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD2955-1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 10A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 2MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Supplier Device Package | I-PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD2955-1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD2955-1G-FT |
BUD42D
ON Semiconductor
BUD42D-001
ON Semiconductor
BUD42D-1G
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BUD42DG
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MJD112RL
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MJD128T4
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XA7A100T-1FGG484I
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A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
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5SGXEA4H2F35C1N
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EP3SE110F1152C2N
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XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
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EP1S60B956C7
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