Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD31T4G
Herstellerteilenummer | MJD31T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD31T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD31T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
Leistung max | 1.56W |
Frequenz - Übergang | 3MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD31T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD31T4G-FT |
MMBT3906WT1
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MMBT4401WT1
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EPF6024ATC144-2N
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XC2VP2-5FG456I
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A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
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EP4SGX530KH40C3N
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5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation