Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD45H11-1G
Herstellerteilenummer | MJD45H11-1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD45H11-1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD45H11-1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 80V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 90MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Supplier Device Package | I-PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD45H11-1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD45H11-1G-FT |
NJVMJD31T4G
ON Semiconductor
NJVMJD42CRLG
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BUD42D
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BUD42D-001
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BUD42D-1G
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BUD42DG
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BUD42DT4
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XC3S200-4TQ144I
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XC3S1000-4FGG320I
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XCV600E-7FG676C
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LFE5UM-45F-7BG381I
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A3PN250-1VQG100
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5SGXEA7K1F40I2N
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XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
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5SGXMA3H3F35I4N
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