Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD45H11G
Herstellerteilenummer | MJD45H11G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD45H11G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD45H11G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 80V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 90MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD45H11G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD45H11G-FT |
MMBT3906WT1G
ON Semiconductor
MSD42WT1G
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LFXP6C-5T144C
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XC3S1200E-5FGG320C
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XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FGG484I
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A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C8
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XC4VLX160-11FFG1148I
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10AX090S4F45E3LG
Intel